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网站首页:三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠:HBM存储芯片容量提至24GB

时间:2019/10/7 16:04:02  作者:  来源:  浏览:0  评论:0
内容摘要:10月7日,三星电子颁布发表率先正在业内开辟出12层3D-TSV(硅脱孔)手艺。跟着散成电路范围的扩年夜,怎样正在尽量小的里积内塞进更多晶体管成为应战,此中多芯片堆叠启拆被以为是期望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片经由过程60000个TSV孔毗连,每逐个层的薄度唯一头收...
10月7日,三星电子颁布发表率先正在业内开辟出12层3D-TSV(硅脱孔)手艺。跟着散成电路范围的扩年夜,怎样正在尽量小的里积内塞进更多晶体管成为应战,此中多芯片堆叠启拆被以为是期望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片经由过程60000个TSV孔毗连,每逐个层的薄度唯一头收丝的1/20。总的启拆薄度为720μm,取当前8层堆叠的HBM2存储芯片不异,表现了极年夜的手艺前进。那意味着,客户纷歧需求窜改内部设想便能够得到更年夜容量的芯片。统一时,3D堆叠也有助于收缩数据传输的工夫。三星流露,基于12层3D TSV手艺的HBM存储芯片将很快量产,单片容量从今朝的8GB去到24GB。

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